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IRF9952	文件：134.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：224.24 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：280.44 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QTRPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952TRPBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	GenerationVTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
KDS9952A	文件：80.33 Kbytes Page：3 Pages	DualN&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KRF9952	文件：70.12 Kbytes Page：3 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
L9952GXP	文件：865.39 Kbytes Page：68 Pages	PowermanagementsystemIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS

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