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FMBT5551	文件：409.24 Kbytes Page：8 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features ?Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=140V~160V@IC=1mA) ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving ?Epitaxialplanardieconstruction ?ComplememntaryPN	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FMMT5551	文件：30.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORS PARTMARKINGDETAILS-FMMT5550-1FZ FMMT5551-ZG1 COMPLEMENTARYTYPES-FMMT5550-FMMT5400 FMMT5551-FMMT5401	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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