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FAM65HR51DS1分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FAM65HR51DS1
廠商型號

FAM65HR51DS1

參數屬性

FAM65HR51DS1 包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:FAM65HR51DS1

功能描述

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter
FAM65HR51DS1

文件大小

531.54 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 15:08:00

FAM65HR51DS1規(guī)格書詳情

FAM65HR51DS1屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產的FAM65HR51DS1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? SIP or DIP H?Bridge Power Module for On?board Charger (OBC) in

EV or PHEV

? 5 kV/1 sec Electrically Isolated Substrate for Easy Assembly

? Creepage and Clearance per IEC60664?1, IEC 60950?1

? Compact Design for Low Total Module Resistance

? Module Serialization for Full Traceability

? Lead Free, RoHS and UL94V?0 Compliant

? Automotive Qualified per AEC Q101 and AQG324 Guidelines

Applications

? DC?DC Converter for On?board Charger in EV or PHEV

Benefits

? Enable Design of Small, Efficient and Reliable System for Reduced

Vehicle Fuel Consumption and CO2 Emission

? Simplified Assembly, Optimized Layout, High Level of Integration,

and Improved Thermal Performance

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    FAM65HR51DS1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 描述:

    FAM65HR51DS1

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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1983
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