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FBP201209U301-3A

MULTILAYER CHIP BEAD

●FEATURE 1.Highcurrentandmultiplesizeavailability 2.Highreliabilityduetoanentirelymonolithicstructure 3.LowDCresistancestructureofelectrodepreventswastefulelectricpowerconsumption 4.SuppressEMI/RFIandtopreventself-oscillationinelectronicproducts ●APPLICATIO

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

FI201209U301-3A

EMISOLOTIONPRODUCTS

FENGJUIFENGJUI TECHNOLOGY CO., LTD.

峰瑞科技峰瑞科技有限公司

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更多FBP201209U301-3A供應商 更新時間2024-3-26 15:06:00

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