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FD200R12KE3P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FD200R12KE3P |
| 參數(shù)屬性 | FD200R12KE3P 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 200A |
| 功能描述 | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material |
| 文件大小 |
595.81 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-8 23:00:00 |
FD200R12KE3P規(guī)格書詳情
FD200R12KE3P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FD200R12KE3P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FD200R12KE3PHOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
C
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
單路
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，200A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 200A
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
AG-62mm-1 |
912 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
AG-62MM-1 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
Infineon |
2023 |
4500 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
2022+ |
AG-62MM-1 |
48000 |
只做原裝,絕對原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
AG-62MM-1 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
AG-62MM-1 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 |
