首頁>FD400R33KF2C-K>芯片詳情

FD400R33KF2C-K_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 660A華來深一部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FD400R33KF2C-K

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫存數(shù)量：

    200

  • 產(chǎn)品封裝：

    IGBT

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-26 11:05:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FD400R33KF2C-K品牌：INFINEON

原包裝原標(biāo)簽特價(jià)銷售

  • 芯片型號(hào)：

    FD400R33KF2C-K

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    580.36 kb

  • 資料說明：

    IGBT, Brake-Chopper Maximum Rated Values

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FD400R33KF2C-K

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 660A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華來深電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生 /林小姐

  • 手機(jī)：

    13751106682

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83238902

  • 傳真：

    0755-83972189

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國利大廈新亞洲二期N2B227

相近型號(hào)