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FD900R12IP4D

PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FD900R12IP4DV

Technische Information / Technical Information

InfineonInfineon Technologies AG

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FD900R12IP4DBOSA1

Package：模塊；包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W

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FD900R12IP4DVBOSA1

Package：模塊；包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W

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FF900R12IP4

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK?

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK?IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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FF900R12IP4

PrimePACK2ModulmitTrench

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FF900R12IP4

PrimePACK2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?LowVCEsat MechanicalFeatures ?4kVAC1minInsulation ?Package

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FF900R12IP4D

PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr??ererEmitterControlled4DiodeundNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ?UnbeatableRobustness ?EnlargedDiodeforregenerativeoperation ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?LowVCEsat MechanicalFea

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FF900R12IP4D

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK?

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK?IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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FF900R12IP4DV

PrimePACK?2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ? HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShort CircuitCurrent ?LowVCEsat ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?EnlargedDiodeforregenerativeoperation Mechanica

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FD900R12IP4D

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 900A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
-
909
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
INFIENON
19+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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Infineon
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LQFP
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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公司大量全新正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
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Infineon(英飛凌)
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Infineon
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Infineon
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
更多FD900R12IP4D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 10:33:00

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