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FDC6561AN_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET SSOT-6 N-CH 30V芯狀元科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDC6561AN
- 功能描述:
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市芯狀元科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王總
- 手機(jī):
13715198985
- 詢價:
- 電話:
0755-82550713
- 地址:
深圳市福田區(qū)沙頭街道金地社區(qū)沙嘴路117號椰樹花園5棟1單元402
相近型號
- FDC6561AN-NB5S007A
- FDC655BN-VB
- FDC6561AN-NL
- FDC655BN-NL
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- FDC655BNNL
- FDC655BNMOS()
- FDC655BNMOS
- FDC6561N
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- FDC655BNIC
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