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FDD86569

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD86569

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD86569-F085

N-Channel PowerTrench? MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多FDD86569供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 14:00:00

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