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FDG6301N_F085中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDG6301N_F085
廠商型號(hào)

FDG6301N_F085

功能描述

Dual N-Channel, Digital FET

文件大小

351.8 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

FDG6301N_F085規(guī)格書詳情

General Description

These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.

Features

■ 25 V, 0.22 A continuous, 0.65 A peak.

RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V,

RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V.

■ Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V).

■ Gate-Source Zener for ESD ruggedness

(>6kV Human Body Model).

■ Compact industry standard SC70-6 surface mount

package.

■ RoHS Compliant

■ Qualified to AEC Q101

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDG6301N_F085

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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SC706
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