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FDG6332C_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench東來寶一部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDG6332C
- 功能描述:
MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市東來寶電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄧先生
- 手機(jī):
13622346275
- 詢價:
- 電話:
13622346275
- 傳真:
0755-82785903
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)布吉街道景芬路華浩源2棟1單元201室/香港九龍新界圓藍(lán)天水圍嘉湖山莊賞湖居六座39E
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