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FDN306P_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V水星電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):FDN306P品牌:onsemi
專(zhuān)注原裝正品代理分銷(xiāo),認(rèn)準(zhǔn)水星電子
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
FDN306P
- 功能描述:
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市水星電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13632880560
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-89585609
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號(hào)華南國(guó)際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號(hào)樓B1C177
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