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FDP025N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=265A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP025N06

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 265A, 2.5m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IPD025N06N

Optimizedforsynchronousrectification

Features ?Optimizedforsynchronousrectification ?100avalanchetested ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD025N06N

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD025N06N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD025N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NTMYS025N06CL

PowerMOSFET60V,27.5m,21A,SingleN??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMYS025N06CLTWG

PowerMOSFET60V,27.5m,21A,SingleN??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMYS025N06CL

MOSFET–Power,SingleN-Channel60V,27.5m,21A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?LFPAK4Package,IndustryStandard ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMYS025N06CLTWG

MOSFET–Power,SingleN-Channel60V,27.5m,21A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?LFPAK4Package,IndustryStandard ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FDP025N06

  • 功能描述：

    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-220
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價
 詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-220
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
ONSEMI/安森美
2410+
TO-220
80000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價
24+
8866
詢價
Fairchild
23+
TO-220
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
FAIRCHI
2020+
TO220
150
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
FSC
24+
TO220
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價
FAIRCHILD
22+23+
TO220
7839
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價
更多FDP025N06供應(yīng)商 更新時間2025-2-23 14:14:00

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