首頁(yè) >FDP61N20>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

FDP61N20

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP61N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=41mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP61N20

200V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSM61N20

200VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

TS61N20CXRF

VoltageDetector

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    FDP61N20

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-220
300
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
ON/安森美
22+
DIP
6000
原裝正品
詢價(jià)
ONSEMI/安森美
22+
TO-220
4800
全新原裝正品現(xiàn)貨實(shí)單價(jià)可談
詢價(jià)
ON/安森美
23+
DIP
11048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
詢價(jià)
ON/安森美
23+
DIP
15316
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
詢價(jià)
ON/安森美
SMD
23+
6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
詢價(jià)
FSC
17+
TO-220
6200
詢價(jià)
FAI
24+
246
詢價(jià)
Fairchild
23+
TO-220
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
更多FDP61N20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-27 17:28:00