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FDP80N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.09mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP80N06

N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HM80N06K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM80N06KA

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HRD80N06K

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRLD80N06K

OriginativeNewDesign

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRLF80N06K

100AvalancheTested

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRLP80N06K

OriginativeNewDesign

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRP80N06K

60VN-ChannelTrenchMOSFET

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

JMTK80N06A

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者:深圳市溢航科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FDP80N06

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多FDP80N06供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 14:14:00