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FDP20N50T	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP20N50T	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	PowerFactorCorrectionConverterDesign	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF20N50	文件：1.01037 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF20N50	文件：322.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDPF20N50FT	文件：322.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDPF20N50FT	文件：429.87 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMFRFET?MOSFET500V,20A,260m? Description UniFET?MOSFETisFairchildSemiconductor?’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thebodydiode’sreverserecov	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF20N50T	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF20N50T	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	PowerFactorCorrectionConverterDesign	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF20N50T	文件：322.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FHP20N50	文件：480.46 Kbytes Page：7 Pages	20N50isanN-channelenhancementmodehighvoltagepowerMOSfield Features 20A,500V,RDS(on)=0.2Ω(typ)@VGS=10V LowCharge,LowReverseTransferCapacitance Fastswitchingspeed	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
FIR20N50AFG	文件：2.68422 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR20N50ANG	文件：2.75723 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR20N50FG	文件：3.32006 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FMC20N50E	文件：439.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMC20N50E	文件：332.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.31Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC20N50ES	文件：332.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.31Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC20N50ES	文件：560.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMH20N50E	文件：511.35 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMH20N50E	文件：268.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMH20N50ES	文件：565.38 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji

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更多FDP20N50FT供應(yīng)商更新時(shí)間2024-3-26 11:52:00

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