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FDS6680S中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS6680S
廠商型號

FDS6680S

功能描述

30V N-Channel PowerTrench SyncFET?

文件大小

222.28 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-24 9:17:00

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FDS6680S規(guī)格書詳情

General Description

The FDS6680S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6680S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.

Features

? 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.011 ? @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 0.016 ? @ VGS = 4.5 V

? Includes SyncFET Schottky body diode

? Low gate charge (17nC typical)

? High performance trench technology for extremely low

RDS(ON) and fast switching

? High power and current handling capability

Applications

? DC/DC converter

? Motor drives

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS6680S

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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