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FDT86113LZ_PULSECORE/安森美_MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET兆威電子01部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDT86113LZ
- 功能描述:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
顏小姐 /李先生
- 手機:
13823576937
- 詢價:
- 電話:
0755- 82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號城市山海中心C棟606-608
相近型號
- FDT86246L
- FDT86102LZIC
- FDT86102LZ
- FDT86256
- FDT86102
- FDT86256L
- FD-T80
- FDT790A
- FDT7721
- FDTA1003014
- FDT7205L50P
- FDTB3
- FDT7204S80P
- FDTC501012M00302
- FDT7204L80P
- FD-TEG013SF1-GA8-5
- FDT7204L50P
- FDTT2-6-20
- FDT7204L120P
- FDU:51457071220001
- FDT71256S20TP
- FDU044AN03L
- FDT7024-S55PF
- FDT7020
- FDU0650-H-R13M=P3
- FDT6N60
- FDU0650-H-R24M=P3
- FDT6167/LA35P
- FDU0650-H-R39M=P3
- FDU0650-H-R50M=P3
- FDT55AN06LA0
- FDU0650-H-R56M=P3
- FDT55AN06A0
- FDU0650-H-R82M=P3
- FDT5060L
- FDU0650-R13M=P3
- FDT5060
- FDU0650-R24M
- FDT4N50NZU
- FDU0650-R24M=P3
- FDT49FCT805ASO
- FDU0650-R39M=P3
- FDT461N-NL
- FDU0650-R39MP3
- FDT461N
- FDU0650-R56M=P3
- FDU0650-R56MP3
- FDT459N-VB
- FDU0650-R82M=P3
- FDT459N-NL