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FF1MR12KM1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FF1MR12KM1H |
參數(shù)屬性 | FF1MR12KM1H 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MEDIUM POWER 62MM |
功能描述 | 62 mm C-Series module with CoolSiC? Trench MOSFET |
文件大小 |
721.69 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-20 22:59:00 |
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FF1MR12KM1H規(guī)格書詳情
FF1MR12KM1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF1MR12KM1H晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
Features
? Electrical features
- VDSS = 1200 V
- IDN = 560 A / IDRM = 1120 A
- High current density
- Low switching losses
? Mechanical features
- 4 kV AC 1 min insulation
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FF1MR12KM1H
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 包裝:
卷帶(TR)
- 描述:
MEDIUM POWER 62MM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
YEASHIN |
23+ |
NA/ |
12000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
Yeashin |
11+ |
SOD-123 |
3000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Fairchild/ON |
21+ |
SOT227 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
AG-62MMHB |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
原廠原裝 |
1005 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ON SEMI |
21+ |
N/A |
10 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
FSC |
22+ |
NA |
27003 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Yeashin |
SOD-123S |
33245 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
Yeashin |
25+ |
SOD123 |
2805 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) |