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FF23MR12W1M1_B11分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FF23MR12W1M1_B11
廠商型號(hào)

FF23MR12W1M1_B11

參數(shù)屬性

FF23MR12W1M1_B11 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER EASY

功能描述

EasyDUAL Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET und PressFIT / NTC
LOW POWER EASY

封裝外殼

模塊

文件大小

482.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-10 16:28:00

FF23MR12W1M1_B11規(guī)格書詳情

FF23MR12W1M1_B11屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF23MR12W1M1_B11晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FF23MR12W1M1PB11BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    CoolSiC?+

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 配置:

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    AG-EASY1BM-2

  • 描述:

    LOW POWER EASY

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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