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FF300R07ME4

EconoDUAL?3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC

ElectricalFeatures ?Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V ?IncreasedDC-linkvoltage ?Highshort-circuitcapability ?Lowswitchinglosses ?LowVCEsat ?Tvjop=150°C ?TrenchIGBT4 MechanicalFeatures ?IntegratedNTCtemperaturesensor ?Isolatedbaseplate ?Coppe

InfineonInfineon Technologies AG

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FF300R07ME4_B11

EconoDUAL3 Modul mit Trench

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FF300R07ME4B11BOSA1

包裝:托盤 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 650V 390A 1100W

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FF300R07ME4B11BPSA1

包裝:托盤 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:MEDIUM POWER ECONO

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FF300R07ME4BOSA1

包裝:托盤 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:GBT MODULE 650V 300A

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    FF300R07ME4

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT Module 300A 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FF300R07ME4供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 14:40:00