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FGA15N120ANTDTU_F109

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FGA15N120ANTDTU-F109

Marking:FGA15N120ANTDTU;Package:TO-3P;1200 V, 15 A NPT Trench IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGA15N120ANTDTU-F109

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGA15N120ANTDTU-F109

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    3mJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    15ns/160ns

  • 測試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 186W TO3P

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更多FGA15N120ANTDTU_F109供應(yīng)商 更新時間2025-5-23 18:31:00