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FGA15N120ANTDTU_F109

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FGA15N120ANTDTU-F109

Marking：FGA15N120ANTDTU；Package：TO-3P；1200 V, 15 A NPT Trench IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGA15N120ANTDTU-F109

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGA15N120ANTDTU-F109

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    3mJ（開），600μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    15ns/160ns

  • 測試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 186W TO3P

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更多FGA15N120ANTDTU_F109供應(yīng)商 更新時間2025-5-23 18:31:00

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