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FGA25S125P-SN00337 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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  • 廠家型號:

    FGA25S125P-SN00337

  • 產品分類:

    芯片

  • 生產廠商:

    ONSEMI/安森美半導體

  • 庫存數(shù)量:

    5850

  • 產品封裝:

    N/A

  • 生產批號:

    兩年內

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-27 8:00:00

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原廠料號:FGA25S125P-SN00337品牌:ONSEMI

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FGA25S125P-SN00337是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/onsemi生產封裝N/A/TO-3P-3,SC-65-3的FGA25S125P-SN00337晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    FGA25S125P-SN00337

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 內容頁數(shù):

    7 頁

  • 文件大小:

    633.55 kb

  • 資料說明:

    1250 V, 25 A Shorted-anode IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    FGA25S125P-SN00337

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,25A

  • 開關能量:

    1.09mJ(開),580μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    24ns/502ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN

供應商

  • 企業(yè):

    深圳良洲科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊夢琪

  • 手機:

    19128244554

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-21010605

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1005、1007、1015號華強電子世界2號樓2層22C081