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FGA30N120FTDTU分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA30N120FTDTU
廠商型號

FGA30N120FTDTU

參數(shù)屬性

FGA30N120FTDTU 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 339W TO3P

功能描述

1200V, 30A Trench IGBT

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

614.76 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-8 15:58:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGA30N120FTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 339W TO3P

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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