FGD3N60LSDTM 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
FGD3N60LSDTM
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ONSEMI/安森美半導體
庫存數(shù)量：
2669
產(chǎn)品封裝：
TO-252
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
熱賣庫存
更新時間：
2025-1-1 8:12:00

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原廠料號：FGD3N60LSDTM品牌：onsemi(安森美)

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FGD3N60LSDTM是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的FGD3N60LSDTM晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
FGD3N60LSDTM
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
FAIRCHILD【仙童半導體】詳情
廠商全稱：
Fairchild Semiconductor
中文名稱：
飛兆/仙童半導體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
8 頁
文件大?。?/span>
872.7 kb
資料說明：
IGBT

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
FGD3N60LSDTM
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 10V，3A
開關能量：
250μJ（開），1mJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
40ns/600ns
測試條件：
480V，3A，470 歐姆，10V
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝：
TO-252AA
描述：
IGBT 600V 6A 40W DPAK

供應商

企業(yè)：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
陳小姐
手機：
13554797626
詢價：
電話：
0755-82538261
傳真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層

FGD3N60LSDTM 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

FGD3N60LSDTM

產(chǎn)品屬性

供應商

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