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FGD3N60UNDF_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT艾宇特電子

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  • 廠家型號(hào)：

    FGD3N60UNDF

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9800

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 13:38:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FGD3N60UNDF品牌：ON/安森美

只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!

  • 芯片型號(hào)：

    FGD3N60UNDF

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1036.569 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild??? the NPT vIGBTs offer the optimum performance for low-power inverterdriven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential.

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FGD3N60UNDF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇特電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李 先生

  • 手機(jī)：

    15817287769

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83224028/83201767

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

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