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FGH30N60LSDTU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGH30N60LSDTU參考圖片

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  • 廠家型號：

    FGH30N60LSDTU

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    268

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    兩年內(nèi)

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-14 17:49:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：FGH30N60LSDTU品牌：onsemi/安森美

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FGH30N60LSDTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的FGH30N60LSDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGH30N60LSDTU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    714.63 kb

  • 資料說明：

    Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGH30N60LSDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.4V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1.1mJ（開），21mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    18ns/250ns

  • 測試條件：

    400V，30A，6.8 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳良洲科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊夢琪

  • 手機：

    19128244554

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-21010605

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1005、1007、1015號華強電子世界2號樓2層22C081

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