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FGH40T65SH-F155分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH40T65SH-F155
廠商型號

FGH40T65SH-F155

參數(shù)屬性

FGH40T65SH-F155 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

功能描述

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A
IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

文件大小

480.04 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 20:18:00

FGH40T65SH-F155規(guī)格書詳情

FGH40T65SH-F155屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FGH40T65SH-F155晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGH40T65SH-F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    1.01mJ(開),297μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    19.2ns/65.6ns

  • 測試條件:

    400V,40A,6 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FCS
20+
TO-2473L
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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FAIRCHILD 仙童
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TO-247
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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