首頁(yè)>FGH60N60UFDTU-F085>芯片詳情

FGH60N60UFDTU-F085 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGH60N60UFDTU-F085參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FGH60N60UFDTU-F085

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    4500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    新批次

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-28 16:18:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FGH60N60UFDTU-F085品牌：onsemi/安森美

FGH60N60UFDTU-F085是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的FGH60N60UFDTU-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    FGH60N60UFDTU-F085

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGH60N60UFDTU-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，60A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.47mJ（開(kāi)），810μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    29ns/138ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，60A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 120A 298W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅 浩

  • 手機(jī)：

    19854773352

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    14789300331

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟2003F19

相近型號(hào)