FGH60T65SQD-F155_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):FGH60T65SQD-F155品牌:onsemi

資料說明:IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3

FGH60T65SQD-F155是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的FGH60T65SQD-F155晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    fgh60t65sqd-f155

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGH60T65SQD-F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    227μJ(開),100μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20.8ns/102ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,15A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
21+
TO247-3
9000
ON 60A 650V IGBT 晶體管FGH60T65SQD-F155 公司原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON
21+
TO-247
3000
一類客戶直供 原標(biāo)原包 物美價(jià)廉
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ON
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to-247
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只做原裝正品現(xiàn)貨庫存
詢價(jià)
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢價(jià)
onsemi
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TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
onsemi
21+
原廠封裝
450
保證原裝正品 深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
Onsemi
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TO-247AC-3
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只做原裝正品,假一罰十。
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