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HGTD1N120BNS9A_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：HGTD1N120BNS9A品牌：onsemi

資料說明：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

HGTD1N120BNS9A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的HGTD1N120BNS9A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    hgtd1n120bns9a

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，1A

  • 開關(guān)能量：

    70μJ（開），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    15ns/67ns

  • 測試條件：

    960V，1A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
23+
TO-252
32500
原裝現(xiàn)貨、合作持久、假一罰十
 詢價
FAIRCHILD
19+
TO-252
12490
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
 詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
onsemi
24+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-252
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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ON/安森美
22+
TO-252-3
7500
原裝正品
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ON/安森美
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
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ON(安森美)
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9345
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