首頁 >HGTD1N120BNS9A>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

HGTD1N120BNS9A

5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

TheHGTD1N120BNSandHGTP1N120BNareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduct

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTD1N120BNS9A

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，1A

  • 開關(guān)能量：

    70μJ（開），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    15ns/67ns

  • 測試條件：

    960V，1A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
23+
TO-252
32500
原裝現(xiàn)貨、合作持久、假一罰十
 詢價
FAIRCHILD
19+
TO-252
12490
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
 詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
onsemi
24+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ON/安森美
21+
TO-252
6000
原裝正品
 詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-252
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
ON/安森美
22+
TO-252-3
7500
原裝正品
 詢價
ON/安森美
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
ON(安森美)
23+
TO-252AA
9345
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
更多HGTD1N120BNS9A供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 13:12:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多