訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
HGTD1N120BNS9A
- 產(chǎn)品分類:
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
9345
- 產(chǎn)品封裝:
TO-252AA
- 生產(chǎn)批號(hào):
23+
- 庫(kù)存類型:
- 更新時(shí)間:
2025-1-10 17:34:00
首頁(yè)>HGTD1N120BNS9A>芯片詳情
訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
芯片
9345
TO-252AA
23+
2025-1-10 17:34:00
原廠料號(hào):HGTD1N120BNS9A品牌:ON(安森美)
公司只做原裝正品,假一賠十
HGTD1N120BNS9A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252AA/TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的HGTD1N120BNS9A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
描述
HGTD1N120BNS9A
onsemi
管件
NPT
2.9V @ 15V,1A
70μJ(開(kāi)),90μJ(關(guān))
標(biāo)準(zhǔn)
15ns/67ns
960V,1A,82 歐姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面貼裝型
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
TO-252AA
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
深圳市芯球通科技有限公司
王經(jīng)理
13760231281
0755-23816608/13760231281
0755-23816808
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)101棟510室