首頁 >HGTG30N60B3>規(guī)格書列表

零件編號下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

HGTG30N60B3

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

Intersil

Intersil Corporation

HGTG30N60B3

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 208W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3D

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT withAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabip

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3D

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate

Intersil

Intersil Corporation

HGTG30N60B3D

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3D_04

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3D

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

G30N60B3

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

G30N60B3D

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IXXH30N60B3

XPTTM600VIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXXQ30N60B3M

AdvanceTechnicalInformation

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG30N60B3

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    500μJ（開），680μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    36ns/137ns

  • 測試條件：

    480V，30A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 208W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO247
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低
 詢價(jià)
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
FAIRCHILD
2020+
TO247
18600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
ON
23+
SOIC
96000
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
仙童
06+
TO-247
6000
原裝
 詢價(jià)
FAIRCHIL
24+
TO-247
8866
詢價(jià)
原廠
23+
TO-247
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
TO-247
9526
詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多HGTG30N60B3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 16:36:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多