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HGTG30N60B3D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60B3D
廠商型號

HGTG30N60B3D
參數(shù)屬性

HGTG30N60B3D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A TO247-3
功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
文件大小

214.44 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-24 13:20:00

HGTG30N60B3D規(guī)格書詳情

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diode

The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.

Features

? 60A, 600V, TC= 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ= 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG30N60B3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    550μJ（開），680μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    36ns/137ns

  • 測試條件：

    480V，30A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
SMD
450
原裝現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2410+
TO-247
1800
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價
FAIRCHILD
10+
TO-247
544
絕對真實庫存 百分百原裝正品
 詢價
FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD
22+
NA
30000
100%全新原裝 假一賠十
 詢價
FSC
2020+
TO-247-
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
FAIRCHILD
23+
TO-247
9526
詢價
FAIRCHILD
19+
TO-247
73225
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
24+
N/A
62000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
FSC
22+23+
TO-247
24848
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價

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