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HGTG30N60A4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60A4
廠商型號

HGTG30N60A4

參數(shù)屬性

HGTG30N60A4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A TO247-3

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT

文件大小

92.78 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 13:08:00

HGTG30N60A4規(guī)格書詳情

The HGTG30N60A4 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC.

This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.

Features

? >100kHz Operation at 390V, 30A

? 200kHz Operation at 390V, 18A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 60ns at TJ = 125°C

? Low Conduction Loss

? Temperature Compensating SABER Model www.intersil.com

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG30N60A4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    280μJ(開),240μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/150ns

  • 測試條件:

    390V,30A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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