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HGTG30N120D2中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HGTG30N120D2
廠商型號(hào)

HGTG30N120D2

功能描述

30A, 1200V N-Channel IGBT

文件大小

40.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 22:30:00

HGTG30N120D2規(guī)格書詳情

Description

The HGTG30N120D2 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOS FET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between +25°C and +150°C.

Features

? 30A, 1200V

? Latch Free Operation

? Typical Fall Time - 580ns

? High Input Impedance

? Low Conduction Loss

?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HGTG30N120D2

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    30A, 1200V N-Channel IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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