首頁>HGTG20N60A4D>規(guī)格書詳情

HGTG20N60A4D中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HGTG20N60A4D
廠商型號

HGTG20N60A4D

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

文件大小

351.72 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-1 18:45:00

人工找貨

HGTG20N60A4D價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

HGTG20N60A4D規(guī)格書詳情

The HGTG20N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49339. The diode used in anti-parallel is the development type TA49372.

Features

? >100kHz Operation At 390V, 20A

? 200kHz Operation At 390V, 12A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 55ns at TJ = 125°C

? Low Conduction Loss

? Temperature Compensating SABER? Model www.intersil.com

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HGTG20N60A4D

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHIL
23+
SOP
3000
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
FAIRCHILD
15
TO-247
50
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ON/安森美
24+
TO-247-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
ON
21+
TO-247
4500
全新原裝公司現(xiàn)貨
詢價
Fairchild(飛兆/仙童)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
NA
360
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢價
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
23+
NA
25630
原裝正品
詢價
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
詢價
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ON/安森美
22+
SMD
9000
原裝正品
詢價