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HGTG27N120BN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG27N120BN
廠商型號(hào)

HGTG27N120BN

參數(shù)屬性

HGTG27N120BN 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 72A TO247-3

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

396.11 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 17:51:00

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HGTG27N120BN規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.7V@IC=34A

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Fast Switching

APPLICATIONS

·Synchronous Rectification in SMPS

·Automotive Chargers

·UPS,PFC

·High Voltage Auxiliaries

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG27N120BN

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,27A

  • 開關(guān)能量:

    2.2mJ(開),2.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    24ns/195ns

  • 測(cè)試條件:

    960V,27A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 72A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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