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HGTG30N60B3分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60B3
廠商型號

HGTG30N60B3
參數(shù)屬性

HGTG30N60B3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 60A 208W TO247
功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

105.22 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-23 23:00:00

HGTG30N60B3規(guī)格書詳情

The HGTG30N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 60A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產品屬性

  • 產品編號：

    HGTG30N60B3

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    500μJ（開），680μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    36ns/137ns

  • 測試條件：

    480V，30A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 208W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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