首頁>HGTG30N60A4>規(guī)格書詳情

HGTG30N60A4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60A4
廠商型號

HGTG30N60A4
參數(shù)屬性

HGTG30N60A4 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A TO247-3
功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

178.25 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-11 23:00:00

HGTG30N60A4規(guī)格書詳情

The HGTG30N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications.

Features

? 60 A, 600 V @ TC = 110°C

? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 30 A

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . 58ns at TJ = 125°C

? Low Conduction Loss

Applications

? UPS, Welder

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG30N60A4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    280μJ（開），240μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/150ns

  • 測試條件：

    390V，30A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 75A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
12388
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
TI
23+
NA
6500
全新原裝假一賠十
 詢價
FAIRCHI
2020+
TO247
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
 詢價
FAIRCHILD/仙童
12+
TO-3P
66
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Fairchild/ON
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
ON/安森美
22+
SMD
9000
原裝正品
 詢價
ON/安森美
23+
TO-247
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價

相關庫存

更多