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HGTD1N120BNS9A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    HGTD1N120BNS9A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-18 17:12:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HGTD1N120BNS9A品牌：onsemi

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

HGTD1N120BNS9A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的HGTD1N120BNS9A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    HGTD1N120BNS9A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    96.46 kb

  • 資料說(shuō)明：

    5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，1A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    70μJ（開(kāi)），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    15ns/67ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，1A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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