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HGT1S10N120BNS_FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch明盛嘉電子

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  • 廠家型號(hào)：

    HGT1S10N120BNS

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-18 15:48:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HGT1S10N120BNS品牌：FAIRCHILD/仙童

原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)

  • 芯片型號(hào)：

    HGT1S10N120BNS

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    217.6 kb

  • 資料說(shuō)明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    HGT1S10N120BNS

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市明盛嘉電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    房先生

  • 手機(jī)：

    18922809831

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82732827

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路109號(hào)華康大院2棟603

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