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FGH75T65UPD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FGH75T65UPD |
參數屬性 | FGH75T65UPD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT |
功能描述 | IGBT – Field Stop, Trench 650 V, 75 A |
絲印標識 | |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
523.85 Kbytes |
頁面數量 |
10 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-3-13 17:56:00 |
人工找貨 | FGH75T65UPD價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FGH75T65UPD規(guī)格書詳情
FGH75T65UPD屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的FGH75T65UPD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
Description
Using innovative field stop trench IGBT technology, onsemi’s new
series of field?stop trench IGBTs offer optimum performance for solar
inverter, UPS, welder, and digital power genera?tor where low
conduction and switching losses are essential.
Features
? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operating
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.65 V(Typ.) @ IC = 75 A
? 100% of Parts Tested ILM
? High Input Impedance
? Tightened Parameter Distribution
? Short Circuit Ruggedness > 5 s @ 25°C
? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant
Applications
? Solar Inverter, UPS, Digital Power Generator
產品屬性
更多- 產品編號:
FGH75T65UPD-F155
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,75A
- 開關能量:
3.68mJ(開),1.6mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
42ns/216ns
- 測試條件:
400V,75A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247
- 描述:
650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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