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首頁(yè)>FGH80N60FD2TU>芯片詳情
FGH80N60FD2TU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):FGH80N60FD2TU品牌:onsemi
專(zhuān)注原裝正品代理分銷(xiāo),認(rèn)準(zhǔn)水星電子
FGH80N60FD2TU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3的FGH80N60FD2TU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
FGH80N60FD2TU
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類(lèi)型:
場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,40A
- 開(kāi)關(guān)能量:
1mJ(開(kāi)),520μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
21ns/126ns
- 測(cè)試條件:
400V,40A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 290W TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市水星電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13632880560
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-89585609
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號(hào)華南國(guó)際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號(hào)樓B1C177
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