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IKW40N60DTP	文件：1.54248 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FGI40N60SFTU
功能描述：
IGBT 晶體管 600V 40A Field Stop
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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