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首頁(yè)>FGP15N60UNDF>芯片詳情
FGP15N60UNDF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):FGP15N60UNDF品牌:ON/安森美
原裝正品,優(yōu)勢(shì)訂貨
FGP15N60UNDF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝NA/TO-220-3的FGP15N60UNDF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
FGP15N60UNDF
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,15A
- 開(kāi)關(guān)能量:
370μJ(開(kāi)),67μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
9.3ns/54.8ns
- 測(cè)試條件:
400V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 30A 178W TO220-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中福國(guó)際管理有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13534030369
- 詢價(jià):
- 電話:
4000-969-680
- 地址:
深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F
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