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FGP30N6S2D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGP30N6S2D
廠商型號

FGP30N6S2D
參數(shù)屬性

FGP30N6S2D 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 45A 167W TO220AB
功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

281.66 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 21:27:00
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FGP30N6S2D規(guī)格書詳情

General Description

The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

Features

? 100kHz Operation at 390V, 14A

? 200kHZ Operation at 390V, 9A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C

? Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGP30N6S2D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    55μJ（開），100μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    6ns/40ns

  • 測試條件：

    390V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 45A 167W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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