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FGPF7N60RUFDTU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGPF7N60RUFDTU
廠商型號

FGPF7N60RUFDTU

參數(shù)屬性

FGPF7N60RUFDTU 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 41W TO220F

功能描述

600V, 7A RUF IGBT CO-PAK

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

902.05 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 20:00:00

FGPF7N60RUFDTU規(guī)格書詳情

Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature.

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)

? Short Circuit rated

Applications

Motor controls and general purpose inverters.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGPF7N60RUFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,7A

  • 開關(guān)能量:

    230μJ(開),100μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    60ns/60ns

  • 測試條件:

    300V,7A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 41W TO220F

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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