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FGY75T120SQDN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：FGY75T120SQDN品牌：ON

"芯達(dá)集團(tuán)"專營(yíng)軍工、宇航級(jí)IC原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

FGY75T120SQDN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3 變式的FGY75T120SQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    FGY75T120SQDN

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    559.08 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ultra Field Stop IGBT, 1200 V, 75 A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGY75T120SQDN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，75A

  • 開關(guān)能量：

    6.25mJ（開），1.96mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    64ns/332ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，75A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A UFS

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅先生,張先生,吳小姐

  • 手機(jī)：

    13760152475

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83978748/23611964

  • 傳真：

    0755-23611964

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路109號(hào)華康大院2棟2層216-1

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